Intel, uzun bir ortadan sonra bellek pazarına argümanlı bir dönüş yapmaya hazırlanıyor. Şirket, SoftBank iştiraki Saimemory ile ortaklaşa geliştirdiği yeni bellek teknolojisinin prototipini birinci kere gün yüzüne çıkardı. Z-Angle Memory (ZAM) ismi verilen bu yeni tahlil, bilhassa HBM’in (Yüksek Bant Genişlikli Bellek) pazardaki mevcut hakimiyetine güçlü bir alternatif oluşturmayı ve tekelleşmeyi kırmayı amaçlıyor.

Intel Yeni ARTIRIM Bellek Prototipini Tanıttı: 512 GB Kapasite ve Düşük Güç Tüketimi

Japonya’da gerçekleştirilen Intel Connection Japan 2026 etkinliğinde sahneye çıkan teknoloji devi, ARTIRIM teknolojisinin birinci resmi gösterimini yaptı. Aktifliğe Intel’in üst seviye yöneticilerinden Joshua Fryman ve Intel Japonya CEO’su Makoto Onho’nun katılması, şirketin bu projeye ne kadar kıymet verdiğini açıkça gösteriyor. Daha evvel yalnızca teknik makalelerde ve basın bültenlerinde ismi geçen bu teknoloji, artık somut bir prototip olarak karşımızda duruyor.

ZAM teknolojisinin en ayırt edici özelliği, kontakların kalıp yığını içinde klasik prosedürlerde olduğu üzere düz bir biçimde aşağıya inmek yerine çapraz olarak yönlendirildiği kademeli bir mimari kullanmasıdır. Intel’e nazaran bu yapısal değişiklik, mevcut bellek tahlillerinde sıkça karşılaşılan performans darboğazlarını ve yüksek ısınma meselelerini çözmek ismine büyük bir avantaj sağlıyor.

Paylaşılan pazarlama bilgilerine nazaran Z-Angle bellek projesi, rakibi HBM ile kıyaslandığında yüzde 40 ila 50 oranında daha düşük güç tüketimi vaat ediyor. Ayrıyeten Z-Angle orta kontakları sayesinde üretim sürecinin daha kolay hale geleceği ve yonga başına depolama kapasitesinin 512 GB’a kadar çıkabileceği belirtiliyor. Intel’in projedeki rolü şimdilik birinci yatırım ve stratejik kararlar olarak tanımlansa da gayelerin epeyce büyük olduğu görülüyor.

Intel’in HBM teknolojisine rakip olarak geliştirdiği bu yeni ARTIRIM bellek teknolojisi ve sunduğu güç tasarrufu bilgileri hakkında siz neler düşünüyorsunuz?